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電子學NMOS FET題目計算問題

發問:

題目:VG=1.01伏特，VS=0伏特，VD=1.8伏特，RD=10K歐姆，UnCox=100uVTH=0.4伏特,W/L=100/9問電流ID=?電壓增益=?我一開始假設FET在Saturation工作公式:1/2*UnCox*W/L*(VGS-VTH)*(VGS-VTH)=206.7uA但VDS<(VGS-VTH)所以假設失敗之後假設為Triode工作公式:1/2*UnCox*W/L*[2(VGS-VTH)VDS]=0.18nA可是VDS>(VGS-VTH)假設又失敗了這樣不就無解了嗎，還是說他是Cut-Off(VDS=0)，或是我計算錯誤麻煩路過的高手解答下，3Q 顯示更多 題目:VG=1.01伏特，VS=0伏特，VD=1.8伏特，RD=10K歐姆，UnCox=100u VTH=0.4伏特,W/L=100/9 問電流ID=?電壓增益=? 我一開始假設FET在Saturation工作 公式:1/2*UnCox*W/L*(VGS-VTH)*(VGS-VTH)=206.7uA 但VDS<(VGS-VTH) 所以假設失敗 之後假設為Triode工作 公式:1/2*UnCox*W/L*[2(VGS-VTH)VDS]=0.18nA 可是VDS>(VGS-VTH) 假設又失敗了 這樣不就無解了嗎，還是說他是Cut-Off(VDS=0)，或是我計算錯誤 麻煩路過的高手解答下，3Q 更新: 所以VD的算法不是VDD-ID*RD嗎 我翻老師講義他是這樣求出VD然後求出答案的 Razavi的書也是這樣寫 麻煩大大們再幫我講解一下 更新 2: 1.8V是VDD 更新 3: 感謝 我當初覺得VDS會很小所以就照老師的速解把-1/2VDS^2省略掉了 沒想到答案差這麼多，感謝兩位熱情幫忙

最佳解答:

題目有附圖嗎? 還是只是文字敘述? 就依你所打的文字描述來看 VD 應該是在 Drain端該點的電壓 所以 VDS=1.8 應該是滿足 Saturation 區 我想你可能以為 VDS= 1.8 - (ID*RD) 小弟的小小想法，不知是否對大大有幫助。 2011-03-07 17:57:03 補充： 題目的1.8 是VD ? 還是VDD? 你上面好像打VD=1.8 哦~ 2011-03-08 00:53:06 補充： 如您所說若1.8為VDD 則假設飽和區出來的VDS= -0.267 (故不合) 故假設FET為歐姆區 已知K=1/2*UnCox*W/L=5/9 ID=K*[2(VGS-VTH)VDS-(VDS)^2] = (VDD -VDS)/RD 帶入數字ID=5/9*{2(1.01-0.4)VDS-(VDS^2)}=(1.8-VDS)/10 為一VDS的一元二次方程式 可解得VDS=0.293 (滿足歐姆區) 帶入原式得 ID=0.1507(mA)# 2011-03-08 00:53:20 補充： 接著求gm=2(I*K)^0.5 =0.5787 電壓增益= (-gm)*RD= -5.787 (V/V) # 故答 : ID=0.1507(mA) Av= -5.787 (V/V) 有爭議的地方再提出互相討論囉~

其他解答:

Sat (VG-VS)>Vt通 (VG-VD)
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